Yazar "Aslan, Fehmi" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Analysis Of The Electrical Characteristics Of Photodiodes Produced By Dopping Various Metal Oxides
    (2020) Aslan, Fehmi; Esen, Hikmet; Yakuphanoğlu, Fahrettin
    Bu çalışmada farklı metal oksit nano tozlar kullanılarak üretilmiş fotodiyotlar ile ilgili son 10 yılda yapılan çalışmalar kapsamlı olarak ele alındı. Katkılamanın, fotodiyot ve fotodedektörlerin elektriksel özelliklerini ne ölçüde etkilediği araştırıldı. Devre elemanlarının farklı ışık yoğunlukları altında gerçekleştirilen I-V karakteristikleri birbirileri ile mukayese edildi. İnce filmlerin idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (?b), seri direnç (Rs) ve ara yüz durum yoğunluğu (Dit) gibi elektronik parametreleri karşılaştırıldı. Bu parametrelerin fotosensörler üzerindeki etkisi vurgulandı. Ayrıca devre elemanlarının optoelektronik özelliklerinin mevcut literatürle ne derece uyumlu olduğu araştırıldı.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Investigation of structural, electrical and photoresponse properties of composite based Al/NiO:CdO/p-Si/Al photodiodes
    (Elsevier, 2022) Gürgenç, Ezgi; Dikici, Aydın; Aslan, Fehmi
    In the present study, different molar ratios of (1:0, 0:1, 3:1, 1:1, and 1:3) NiO:CdO composite thin films were coated on p-Si by a dynamic sol-gel spin coating method. Structural characterizations of NiO:CdO thin films were performed by XRD, FE-SEM, and EDX analysis. The photoresponse and electrical behavior of the fabricated photodiodes were determined by current-voltage (I–V), transient photocurrent-time (I–t), capacitance-voltage (C–V), conductivity-voltage (G-V), and transient photocapacitance-time (C–t) measurements. All fabricated photodiodes were exhibited rectifying properties and the photocurrent values increased as the light intensity was increased. All photodiodes are sensitive to light and it was determined that the NiO photodiode exhibited the highest photosensitivity value. Photocapacitance and photoconductance values of photodiodes were affected by light. Photoresponse and electrical behavior were affected by the interface states and the NiO:CdO ratio. The results show that Al/NiO:CdO/p-Si/Al photodiodes can be used as photosensors or photocapacitors in optoelectronic applications.